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5371097Imagen RB861YT2RLAPIS Semiconductor

RB861YT2R

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RB861YT2R
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 5V EMD4
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.RB861YT2R.pdf
    2.RB861YT2R.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    290mV @ 1mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    5V
  • Paquete del dispositivo
    EMD4
  • Velocidad
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    SC-75-4, SOT-543
  • Otros nombres
    RB861YT2RCT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    125°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Schottky
  • configuración de diodo
    2 Independent
  • Descripción detallada
    Diode Array 2 Independent Schottky 5V 10mA (DC) Surface Mount SC-75-4, SOT-543
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    30µA @ 1V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    10mA (DC)
  • Número de pieza base
    RB861Y

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Descripción: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
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Descripción: CMC 1.5MH 36A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
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Descripción: DIODE ARRAY SCHOTTKY 5V EMD3

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Descripción: DIODE ARRAY SCHOTTKY 15V EMD4

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Descripción: CMC 330UH 50A 3LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Descripción: DIODE SCHOTTKY 5V 10MA VMN2

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MBR10100CT-G1

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Descripción: DIODE SCHOTT 100V 5A TO220AB

Fabricantes: Diodes Incorporated
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