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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > RBR3LAM30BTR

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Imagen RBR3LAM30BTR

LAPIS Semiconductor

RBR3LAM30BTR

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Especificaciones

Número de pieza

RBR3LAM30BTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDTM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RBR3LAM30BTR.pdf
2.RBR3LAM30BTR.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

530mV @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

30V
Paquete del dispositivo

PMDTM
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOD-128
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
Descripción detallada

Diode Schottky 30V 3A Surface Mount PMDTM
Corriente - Fuga inversa a Vr

80µA @ 30V
Corriente - rectificada media (Io)

3A
Capacitancia Vr, F

-

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