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4210426Imagen RBR5L30ATE25LAPIS Semiconductor

RBR5L30ATE25

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RBR5L30ATE25
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDS
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RBR5L30ATE25.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    540mV @ 5A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    30V
  • Paquete del dispositivo
    PMDS
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AC, SMA
  • Otros nombres
    RBR5L30ATE25CT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Schottky
  • Descripción detallada
    Diode Schottky 30V 5A Surface Mount PMDS
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    100µA @ 30V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    5A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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