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2966883Imagen RF071L4STE25LAPIS Semiconductor

RF071L4STE25

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RF071L4STE25
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.25V @ 700mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    400V
  • Paquete del dispositivo
    PMDS
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    25ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AC, SMA
  • Otros nombres
    RF071L4STE25TR
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount PMDS
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 400V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    -
  • Número de pieza base
    RF071L4S
RF064PJ913CS

RF064PJ913CS

Descripción: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Existencias disponibles
RF064PJ824CS

RF064PJ824CS

Descripción: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Existencias disponibles
RF064PJ821CS

RF064PJ821CS

Descripción: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Existencias disponibles
RF064PJ911CS

RF064PJ911CS

Descripción: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Existencias disponibles
RF071LAM4STR

RF071LAM4STR

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDTM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RF071MM2STR

RF071MM2STR

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RF064PJ914CS

RF064PJ914CS

Descripción: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Existencias disponibles
RF081M2STR

RF081M2STR

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RF064PJ754CS

RF064PJ754CS

Descripción: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Existencias disponibles
RF081L2STE25

RF081L2STE25

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RF081MM2STR

RF081MM2STR

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RF064PJ823CS

RF064PJ823CS

Descripción: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Existencias disponibles
RF081LAM2STR

RF081LAM2STR

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RF064PJ912CS

RF064PJ912CS

Descripción: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Existencias disponibles
RF073M2STR

RF073M2STR

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RF064PJ820CS

RF064PJ820CS

Descripción: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Existencias disponibles
RF064PJ910CS

RF064PJ910CS

Descripción: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Existencias disponibles
RF071M2STR

RF071M2STR

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RF08L6STE25

RF08L6STE25

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RF064PJ822CS

RF064PJ822CS

Descripción: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Existencias disponibles

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