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3838933Imagen RF1005TF6SLAPIS Semiconductor

RF1005TF6S

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RF1005TF6S
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RF1005TF6S.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.7V @ 10A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220NFM
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    40ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-2 Full Pack
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220NFM
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    10A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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