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5958576Imagen RFV12TG6SGC9LAPIS Semiconductor

RFV12TG6SGC9

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RFV12TG6SGC9
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.RFV12TG6SGC9.pdf
    2.RFV12TG6SGC9.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    2.8V @ 12A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220ACFP
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    45ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-2
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 12A Through Hole TO-220ACFP
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    12A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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