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4296779Imagen RGS00TS65DHRC11LAPIS Semiconductor

RGS00TS65DHRC11

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RGS00TS65DHRC11
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    ROHM'S IGBT PRODUCTS WILL CONTRI
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.RGS00TS65DHRC11.pdf
    2.RGS00TS65DHRC11.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Condición de prueba
    400V, 50A, 10 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    36ns/115ns
  • Cambio de Energía
    1.46mJ (on), 1.29mJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247N
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    103ns
  • Potencia - Max
    326W
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • puerta de carga
    58nC
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 650V 88A 326W Through Hole TO-247N
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    150A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    88A

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