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929368Imagen RGT40NS65DGTLLAPIS Semiconductor

RGT40NS65DGTL

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$1.131
2000+
$1.053
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Especificaciones
  • Número de pieza
    RGT40NS65DGTL
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 650V 40A 161W TO-263S
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RGT40NS65DGTL.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 20A
  • Condición de prueba
    400V, 20A, 10 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    22ns/75ns
  • Cambio de Energía
    -
  • Paquete del dispositivo
    LPDS (TO-263S)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    58ns
  • Potencia - Max
    161W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    RGT40NS65DGTLTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    15 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • puerta de carga
    40nC
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 650V 40A 161W Surface Mount LPDS (TO-263S)
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    60A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    40A

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