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5412000Imagen RGTV60TS65DGC11LAPIS Semiconductor

RGTV60TS65DGC11

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RGTV60TS65DGC11
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RGTV60TS65DGC11.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • Condición de prueba
    400V, 30A, 10 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    33ns/105ns
  • Cambio de Energía
    570µJ (on), 500µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247N
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    95ns
  • Potencia - Max
    194W
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    15 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • puerta de carga
    64nC
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 650V 60A 194W Through Hole TO-247N
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    120A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    60A

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