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3022879Imagen RLS139TE-11LAPIS Semiconductor

RLS139TE-11

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RLS139TE-11
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 80V 130MA LLDS
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RLS139TE-11.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.2V @ 100mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    80V
  • Paquete del dispositivo
    LLDS
  • Velocidad
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    50ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
  • Otros nombres
    Q2463381
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    175°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 80V 130mA Surface Mount LLDS
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    20nA @ 30V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    130mA
  • Capacitancia Vr, F
    5pF @ 0.5V, 1MHz
  • Número de pieza base
    RLS139

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