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RQ3E100GNTB

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RQ3E100GNTB
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.RQ3E100GNTB.pdf
    2.RQ3E100GNTB.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-HSMT (3.2x3)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    11.7 mOhm @ 10A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    2W (Ta), 15W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerVDFN
  • Otros nombres
    RQ3E100GNTBTR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    40 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    420pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    7.9nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

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