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2157887Imagen RR2L6STE25LAPIS Semiconductor

RR2L6STE25

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RR2L6STE25
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RR2L6STE25.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 2A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    PMDS
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AC, SMA
  • Otros nombres
    RR2L6STE25CT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    150°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 2A Surface Mount PMDS
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    2A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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