RRR030P03TL

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Especificaciones

Número de pieza

RRR030P03TL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
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Descripción

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RRR030P03TL.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSMT3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

75 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-96
Otros nombres

RRR030P03TLTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.2nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TSMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

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