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1961584Imagen RU1C001ZPTLLAPIS Semiconductor

RU1C001ZPTL

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RU1C001ZPTL
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.RU1C001ZPTL.pdf
    2.RU1C001ZPTL.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    UMT3F
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    150mW (Ta)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    SC-85
  • Otros nombres
    RU1C001ZPTLCT
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    15pF @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

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Descripción: RES 82M OHM 5% 1/4W 0603

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Descripción: RES 62M OHM 5% 1/4W 0603

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Descripción: RES 56M OHM 5% 1/4W 0603

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Descripción: RES 30M OHM 5% 1/4W 0603

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