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789083Imagen RUR020N02TLLAPIS Semiconductor

RUR020N02TL

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RUR020N02TL
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.RUR020N02TL.pdf
    2.RUR020N02TL.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TSMT3
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    105 mOhm @ 2A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    540mW (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-96
  • Otros nombres
    RUR020N02MGTL
    RUR020N02TL-ND
    RUR020N02TLTR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    180pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    2nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    N-Channel 20V 2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

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