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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > RUU002N05T106
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4152943Imagen RUU002N05T106LAPIS Semiconductor

RUU002N05T106

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RUU002N05T106
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RUU002N05T106.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    UMT3
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    200mW (Ta)
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    SC-70, SOT-323
  • Otros nombres
    RUU002N05T106DKR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    25pF @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    50V
  • Descripción detallada
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

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