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Imagen RZE002P02TL

LAPIS Semiconductor

RZE002P02TL

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Especificaciones

Número de pieza

RZE002P02TL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 0.2A EMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RZE002P02TL.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 100µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

EMT3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

150mW (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SC-75, SOT-416
Otros nombres

RZE002P02TLDKR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

115pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

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