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6594006Imagen SCS306AHGC9LAPIS Semiconductor

SCS306AHGC9

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SCS306AHGC9
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    SCS306AHGC9.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.5V @ 6A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    650V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220ACP
  • Velocidad
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    0ns
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-2
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    175°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    23 Weeks
  • Estado sin plomo
    Lead free
  • Tipo de diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descripción detallada
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole TO-220ACP
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    30µA @ 650V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    6A (DC)
  • Capacitancia Vr, F
    300pF @ 1V, 1MHz

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