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3150969Imagen SCT3030ALGC11LAPIS Semiconductor

SCT3030ALGC11

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SCT3030ALGC11
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET NCH 650V 70A TO247N
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.SCT3030ALGC11.pdf
    2.SCT3030ALGC11.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    5.6V @ 13.3mA
  • Vgs (Max)
    +22V, -4V
  • Tecnología
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247N
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    39 mOhm @ 27A, 18V
  • La disipación de energía (máximo)
    262W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Temperatura de funcionamiento
    175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1526pF @ 500V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    104nC @ 18V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    650V
  • Descripción detallada
    N-Channel 650V 70A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247N
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)

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