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CSD17308Q3T

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CSD17308Q3T
  • Fabricante / Marca
    Luminary Micro/Texas Instruments
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 50A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / Cumple con RoHS
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.8V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +10V, -8V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
  • Serie
    NexFET™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    10.3 mOhm @ 10A, 8V
  • La disipación de energía (máximo)
    2.7W (Ta), 28W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Otros nombres
    296-44075-1
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    35 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    700pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    5.1nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    3V, 8V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 14A (Ta), 44A (Tc) 2.7W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    14A (Ta), 44A (Tc)

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