CSD18532NQ5BT

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Especificaciones

Número de pieza

CSD18532NQ5BT
Fabricante / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 100A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-VSON-CLIP (5x6)
Serie

NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

3.4 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.1W (Ta), 156W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

296-44042-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

35 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5340pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

64nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Ta)

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CSD18532Q5BT

Descripción: MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON

Fabricantes: Luminary Micro / Texas Instruments

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