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CSD19506KTT

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$3.232
1000+
$2.726
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Especificaciones
  • Número de pieza
    CSD19506KTT
  • Fabricante / Marca
    Luminary Micro/Texas Instruments
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / Cumple con RoHS
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    DDPAK/TO-263-3
  • Serie
    NexFET™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    2.3 mOhm @ 100A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    375W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
  • Otros nombres
    296-49604-2
    CSD19506KTT-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    2 (1 Year)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    35 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    12200pF @ 40V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    156nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    80V
  • Descripción detallada
    N-Channel 80V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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Descripción: MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 100A 8SON

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