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Especificaciones

Número de pieza

CSD19538Q3A
Fabricante / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-VSONP (3x3.15)
Serie

NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

59 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.8W (Ta), 23W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

296-44352-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

35 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

454pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 15A (Ta) 2.8W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta)

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CSD19536KCS

Descripción: MOSFET N-CH 100V TO-220

Fabricantes: Luminary Micro / Texas Instruments

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