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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > DS1258AB-100

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Imagen DS1258AB-100

Maxim Integrated

DS1258AB-100

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Especificaciones

Número de pieza

DS1258AB-100
Fabricante / Marca

Analog Devices / Maxim Integrated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

DS1258AB-100.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

100ns
Suministro de voltaje

4.75 V ~ 5.25 V
Tecnología

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Paquete del dispositivo

40-EDIP
Serie

-
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

2Mb (128K x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

NVSRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 100ns 40-EDIP
Número de pieza base

DS1258AB
Tiempo de acceso

100ns

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