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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > DS1270AB-70IND
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6951389Imagen DS1270AB-70INDMaxim Integrated

DS1270AB-70IND

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DS1270AB-70IND
  • Fabricante / Marca
    Analog Devices / Maxim Integrated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    DS1270AB-70IND.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    70ns
  • Suministro de voltaje
    4.75 V ~ 5.25 V
  • Tecnología
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Paquete del dispositivo
    36-EDIP
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    16Mb (2M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    NVSRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Mb (2M x 8) Parallel 70ns 36-EDIP
  • Número de pieza base
    DS1270AB
  • Tiempo de acceso
    70ns

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