TN0610N3-G

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Especificaciones

Número de pieza

TN0610N3-G
Fabricante / Marca

Micrel / Microchip Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TN0610N3-G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-92-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.5 Ohm @ 750mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

5 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 500mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Tj)

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TN0629200000G

Descripción: 450 TB SP CL W/COVER 180

Fabricantes: Anytek (Amphenol Anytek)

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