TN5325K1-G

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Especificaciones

Número de pieza

TN5325K1-G
Fabricante / Marca

Micrel / Microchip Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 250V SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TN5325K1-G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-236AB (SOT23)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

7 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

360mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

TN5325K1-G-ND
TN5325K1-GTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 150mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

150mA (Ta)

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TN5335K1-G

Descripción: MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3

Fabricantes: Micrel / Microchip Technology

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