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VP2206N3-G-P003

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Especificaciones

Número de pieza

VP2206N3-G-P003
Fabricante / Marca

Micrel / Microchip Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

VP2206N3-G-P003.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 10mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-92-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

900 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

740mW (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

5 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 25V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 640mA (Tj) 740mW (Tc) Through Hole TO-92-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

640mA (Tj)

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