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2246515Imagen EDB5432BEBH-1DAAT-F-DMicron Technology

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

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Especificaciones
  • Número de pieza
    EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    EDB5432BEBH-1DAAT-F-D.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Paquete del dispositivo
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    134-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (16M x 32)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Frecuencia de reloj
    533MHz

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

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