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EDB8164B4PT-1D-F-D

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Especificaciones

Número de pieza

EDB8164B4PT-1D-F-D
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

EDB8164B4PT-1D-F-D.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.14 V ~ 1.95 V
Tecnología

SDRAM - Mobile LPDDR2
Paquete del dispositivo

216-FBGA (12x12)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

216-WFBGA
Temperatura de funcionamiento

-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

8Gb (128M x 64)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 8Gb (128M x 64) Parallel 533MHz 216-FBGA (12x12)
Frecuencia de reloj

533MHz

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