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EDF8164A3MA-JD-F-R TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    EDF8164A3MA-JD-F-R TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Otros nombres
    EDF8164A3MA-JD-F-R
    EDF8164A3MA-JD-F-R TR-ND
    EDF8164A3MA-JD-F-RTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    8Gb (128M x 64)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 8Gb (128M x 64) Parallel 933MHz
  • Frecuencia de reloj
    933MHz

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EDF8164A3MC-GD-F-R

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EDF8132A3PF-GD-F-D

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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EDF8164A3MA-GD-F-D

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