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EDFP112A3PB-GDTJ-F-D

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Especificaciones

Número de pieza

EDFP112A3PB-GDTJ-F-D
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.14 V ~ 1.95 V
Tecnología

SDRAM - Mobile LPDDR3
Serie

-
Temperatura de funcionamiento

-30°C ~ 105°C (TC)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

24Gb (192M x 128)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 24Gb (192M x 128) Parallel 800MHz
Frecuencia de reloj

800MHz

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Descripción: IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ

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