EDY4016AABG-DR-F-D

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Especificaciones

Número de pieza

EDY4016AABG-DR-F-D
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

EDY4016AABG-DR-F-D.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.14 V ~ 1.26 V
Tecnología

SDRAM - DDR4
Paquete del dispositivo

96-FBGA (7.5x13.5)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

96-TFBGA
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

4Gb (256M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1.2GHz 96-FBGA (7.5x13.5)
Frecuencia de reloj

1.2GHz

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