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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > M29F800DT55N6E

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Imagen M29F800DT55N6E

Micron Technology

M29F800DT55N6E

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576+

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Especificaciones

Número de pieza

M29F800DT55N6E
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

55ns
Suministro de voltaje

4.5 V ~ 5.5 V
Tecnología

FLASH - NOR
Paquete del dispositivo

48-TSOP
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

8Mb (1M x 8, 512K x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

FLASH - NOR Memory IC 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Parallel 55ns 48-TSOP
Número de pieza base

M29F800
Tiempo de acceso

55ns

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