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M29W128GL60ZA6E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    M29W128GL60ZA6E
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    M29W128GL60ZA6E.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    60ns
  • Suministro de voltaje
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    FLASH - NOR
  • Paquete del dispositivo
    64-TBGA (10x13)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    64-TBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    128Mb (16M x 8, 8M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NOR Memory IC 128Mb (16M x 8, 8M x 16) Parallel 60ns 64-TBGA (10x13)
  • Número de pieza base
    M29W128
  • Tiempo de acceso
    60ns

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M29W128GH70ZA6F TR

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Descripción: IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA

Fabricantes: Micron Technology
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M29W128GH7AN6F TR

M29W128GH7AN6F TR

Descripción: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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M29W128GL70ZA6F TR

M29W128GL70ZA6F TR

Descripción: IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA

Fabricantes: Micron Technology
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M29W128GL70N3F TR

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Descripción: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

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M29W128GL70ZS3F TR

M29W128GL70ZS3F TR

Descripción: IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA

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M29W128GH70ZA3E

M29W128GH70ZA3E

Descripción: IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA

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M29W128GH70ZS6E

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M29W128GL70ZA6E

M29W128GL70ZA6E

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M29W128GH7AN6E

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M29W128GL70N3E

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