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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > M29W512GH70N3E
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6739414Imagen M29W512GH70N3EMicron Technology

M29W512GH70N3E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    M29W512GH70N3E
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    M29W512GH70N3E.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    70ns
  • Suministro de voltaje
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    FLASH - NOR
  • Paquete del dispositivo
    56-TSOP (14x20)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (64M x 8, 32M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8, 32M x 16) Parallel 70ns 56-TSOP (14x20)
  • Tiempo de acceso
    70ns

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Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC FLASH 4MBIT 55NS 48TSOP

Fabricantes: Micron Technology Inc.
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Descripción: IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP

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Descripción: IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP

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Descripción: IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC FLASH 64M PARALLEL 48TFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

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