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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT

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MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT

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Especificaciones

Número de pieza

MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.7 V ~ 1.95 V
Tecnología

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Paquete del dispositivo

137-VFBGA (13x10.5)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

137-VFBGA
Otros nombres

MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT-ND
MT29C4G96MAAGBACKD-5WT
Temperatura de funcionamiento

-25°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

FLASH, RAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Parallel 200MHz 137-VFBGA (13x10.5)
Frecuencia de reloj

200MHz
Número de pieza base

MT29C4G96M

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Fabricantes: Micron Technology

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Fabricantes: Micron Technology

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Descripción: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

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Descripción: IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

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Descripción: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

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Descripción: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

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