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MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
  • Paquete del dispositivo
    -
  • Serie
    -
  • embalaje
    -
  • Paquete / Cubierta
    -
  • Otros nombres
    MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT-ND
    MT29C4G96MAZAPCMJ-5IT
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    -
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH, RAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Parallel 200MHz
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Número de pieza base
    MT29C4G96M

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Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

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Descripción: IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

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Descripción: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

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Descripción: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

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Descripción: IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

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Descripción: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

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