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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT29E128G08CECABJ1-10Z:A
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MT29E128G08CECABJ1-10Z:A

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT29E128G08CECABJ1-10Z:A
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 128G PARALLEL 100MHZ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    FLASH - NAND
  • Paquete del dispositivo
    -
  • Serie
    -
  • embalaje
    -
  • Paquete / Cubierta
    -
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    -
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    128Gb (16G x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NAND Memory IC 128Gb (16G x 8) Parallel 100MHz
  • Frecuencia de reloj
    100MHz

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Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR

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Descripción: IC FLASH 128G PARALLEL 100MHZ

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Descripción: IC FLASH RAM 8G PARAL 168VFBGA

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Descripción: IC FLASH RAM 8G PARALLEL 208MHZ

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Descripción: IC FLASH 1.5T PARALLEL VBGA

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Descripción: IC FLASH RAM 8G PARAL 168VFBGA

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Descripción: IC FLASH RAM 8G PARAL 168VFBGA

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Descripción: IC FLASH 1.5T PARALLEL 132VBGA

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Descripción: IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA

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Descripción: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

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Descripción: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

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Descripción: IC FLASH RAM 8G PARAL 168VFBGA

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Descripción: IC FLASH 1.5T PARALLEL 132VBGA

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