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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT29F2G08AABWP-ET TR

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Imagen MT29F2G08AABWP-ET TR

Micron Technology

MT29F2G08AABWP-ET TR

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Especificaciones

Número de pieza

MT29F2G08AABWP-ET TR
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MT29F2G08AABWP-ET TR.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

2.7 V ~ 3.6 V
Tecnología

FLASH - NAND
Paquete del dispositivo

48-TSOP I
Serie

-
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Otros nombres

557-1149-1
MT29F2G08AABWPET
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

2Gb (256M x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 48-TSOP I
Número de pieza base

MT29F2G08

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