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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT29F2G08ABAFAH4-IT:F TR

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MT29F2G08ABAFAH4-IT:F TR

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Especificaciones

Número de pieza

MT29F2G08ABAFAH4-IT:F TR
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

2.7 V ~ 3.6 V
Tecnología

FLASH - NAND
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Otros nombres

MT29F2G08ABAFAH4-IT:F TR-ND
MT29F2G08ABAFAH4-IT:FTR
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

2Gb (256M x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel

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Fabricantes: Micron Technology

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Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

Fabricantes: Micron Technology

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Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

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Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

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Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

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MT29F2G08ABAEAWP-E:E

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Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

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Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL TSOP

Fabricantes: Micron Technology

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Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

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