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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR
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MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.8V
  • Tecnología
    FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Otros nombres
    MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR-ND
    MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88FTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH, RAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Parallel 533MHz
  • Frecuencia de reloj
    533MHz

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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

Descripción: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

Descripción: IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F

MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F

Descripción: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F

Descripción: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR

Descripción: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F

MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F

Descripción: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0

MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0

Descripción: IC FLASH 1.5G DDR

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U

MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U

Descripción: IC FLASH 8G DDR

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

Descripción: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G

MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G

Descripción: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H

Descripción: IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F

MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F

Descripción: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR

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Descripción: MASSFLASH/LPDDR2 6G

Fabricantes: Micron Technology
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR

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Descripción: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

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Descripción: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

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Descripción: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

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Descripción: IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

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