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2988561Imagen MT40A256M16GE-062E:BMicron Technology

MT40A256M16GE-062E:B

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT40A256M16GE-062E:B
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT40A256M16GE-062E:B.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR4
  • Paquete del dispositivo
    96-FBGA (14x9)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    96-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (256M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1.6GHz 96-FBGA (14x9)
  • Frecuencia de reloj
    1.6GHz

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MT40A1G8Z01AWC1

MT40A1G8Z01AWC1

Descripción: DDR4 8G DIE 1GX8

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A256M16GE-075E IT:B

MT40A256M16GE-075E IT:B

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
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MT40A256M16GE-062E IT:B

MT40A256M16GE-062E IT:B

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A256M16GE-075E AUT:B

MT40A256M16GE-075E AUT:B

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A1G8WE-083E IT:B TR

MT40A1G8WE-083E IT:B TR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A256M16GE-075E AAT:B

MT40A256M16GE-075E AAT:B

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A256M16GE-075E AIT:B

MT40A256M16GE-075E AIT:B

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A1G8WE-083E AIT:B TR

MT40A1G8WE-083E AIT:B TR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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MT40A1G8WE-083E AUT:B

MT40A1G8WE-083E AUT:B

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

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MT40A256M16GE-075E IT:B TR

MT40A256M16GE-075E IT:B TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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MT40A256M16GE-075E AIT:B TR

MT40A256M16GE-075E AIT:B TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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MT40A256M16GE-075E AAT:B TR

MT40A256M16GE-075E AAT:B TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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MT40A256M16GE-062E IT:B TR

MT40A256M16GE-062E IT:B TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A256M16GE-062E:B TR

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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MT40A1G8WE-083E:B TR

MT40A1G8WE-083E:B TR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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MT40A256M16GE-075E AUT:B TR

MT40A256M16GE-075E AUT:B TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

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MT40A256M16GE-075E:B

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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