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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT40A2G4WE-083E:B TR
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2260168Imagen MT40A2G4WE-083E:B TRMicron Technology

MT40A2G4WE-083E:B TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT40A2G4WE-083E:B TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT40A2G4WE-083E:B TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR4
  • Paquete del dispositivo
    78-FBGA (8x12)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    78-TFBGA
  • Otros nombres
    557-1732-1
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    8Gb (2G x 4)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (2G x 4) Parallel 1.2GHz 78-FBGA (8x12)
  • Frecuencia de reloj
    1.2GHz

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MT40A2G4WE-083E:B

MT40A2G4WE-083E:B

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A2G4TRF-083E:A

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A2G8FSE-083E:A

MT40A2G8FSE-083E:A

Descripción: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A2G4SA-075:E TR

MT40A2G4SA-075:E TR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
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MT40A2G4WE-075E:B

MT40A2G4WE-075E:B

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A2G8NRE-083E:B

MT40A2G8NRE-083E:B

Descripción: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A4G4FSE-083E:A

MT40A4G4FSE-083E:A

Descripción: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A2G8FSE-093E:A

MT40A2G8FSE-093E:A

Descripción: IC DRAM 16G PARALLEL 1067MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A2G8NRE-083E:B TR

MT40A2G8NRE-083E:B TR

Descripción: IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A2G4SA-075:E

MT40A2G4SA-075:E

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A2G4WE-075E:D TR

MT40A2G4WE-075E:D TR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A2G4WE-075E:B TR

MT40A2G4WE-075E:B TR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A4G4HPR-075H:G

MT40A4G4HPR-075H:G

Descripción: MEMORY DRAM

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MT40A2G8FSE-083E:A TR

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Descripción: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A2G4TRF-093E:A

MT40A2G4TRF-093E:A

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A4G4FSE-083E:A TR

MT40A4G4FSE-083E:A TR

Descripción: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

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MT40A2G4TRF-107E:A

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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Descripción: MEMORY DRAM

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MT40A2G8FSE-093E:A TR

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Descripción: IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA

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MT40A2G4WE-075E:D

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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