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MT41K256M16HA-125 V:E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT41K256M16HA-125 V:E
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR3L
  • Paquete del dispositivo
    96-FBGA (9x14)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    96-TFBGA
  • Otros nombres
    MT41K256M16HA-125 V:E-ND
    MT41K256M16HA-125V:E
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (256M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 13.75ns 96-FBGA (9x14)
  • Frecuencia de reloj
    800MHz
  • Tiempo de acceso
    13.75ns
MT41K256M16HA-125 AAT:E TR

MT41K256M16HA-125 AAT:E TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16HA-125 AAT:E

MT41K256M16HA-125 AAT:E

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16HA-125:E

MT41K256M16HA-125:E

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16HA-125 M:E

MT41K256M16HA-125 M:E

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16LY-107:N TR

MT41K256M16LY-107:N TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16HA-125 XIT:E TR

MT41K256M16HA-125 XIT:E TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16HA-125 AIT:E TR

MT41K256M16HA-125 AIT:E TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16HA-125 AIT:E

MT41K256M16HA-125 AIT:E

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16HA-125 XIT:E

MT41K256M16HA-125 XIT:E

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16HA-125 M:E TR

MT41K256M16HA-125 M:E TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT41K256M16RE-15E IT:D

MT41K256M16RE-15E IT:D

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16HA-125 IT:E TR

MT41K256M16HA-125 IT:E TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16LY-093:N

MT41K256M16LY-093:N

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16HA-125 M AIT:E TR

MT41K256M16HA-125 M AIT:E TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16HA-125 M AIT:E

MT41K256M16HA-125 M AIT:E

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16LY-093:N TR

MT41K256M16LY-093:N TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16LY-107:N

MT41K256M16LY-107:N

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16HA-125:E TR

MT41K256M16HA-125:E TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16HA-125 V:E TR

MT41K256M16HA-125 V:E TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT41K256M16HA-125 IT:E

MT41K256M16HA-125 IT:E

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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