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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT41K256M16V00HWC1-N001
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MT41K256M16V00HWC1-N001

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT41K256M16V00HWC1-N001
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DDR3 4G DIE 256MX16
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Serie
    *
  • Estado sin plomo
    Lead free
  • Descripción detallada
    Memory IC
MT41K256M8DA-107 AAT:K

MT41K256M8DA-107 AAT:K

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16TW-107 V:P TR

MT41K256M16TW-107 V:P TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M8DA-107 IT:K

MT41K256M8DA-107 IT:K

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16V00HWC1

MT41K256M16V00HWC1

Descripción: IC FLASH NAND 32GX8 TSOP

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M4JP-125:G

MT41K256M4JP-125:G

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16TW-125:P

MT41K256M16TW-125:P

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M4DA-107:J

MT41K256M4DA-107:J

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16TW-107:P TR

MT41K256M16TW-107:P TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16V90BWC1

MT41K256M16V90BWC1

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M4JP-15E:G TR

MT41K256M4JP-15E:G TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16TW-107 V:P

MT41K256M16TW-107 V:P

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW-107:P

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M4DA-107:J TR

MT41K256M4DA-107:J TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16V80AWC1

MT41K256M16V80AWC1

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M4JP-15E:G

MT41K256M4JP-15E:G

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M16TW-107 XIT:P

MT41K256M16TW-107 XIT:P

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR

MT41K256M8DA-107 AAT:K TR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles

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