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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT41K512M8V00HWC1
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MT41K512M8V00HWC1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT41K512M8V00HWC1
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 4G PARALLEL DIE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR3L
  • Serie
    -
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (512M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL

Fabricantes: Micron Technology
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MT41K512M8V90BWC1

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL

Fabricantes: Micron Technology
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MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT41K512M8RH-125:E TR

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT41K512M8RH-125 V:E

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT41K512M8RH-125:E

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT41K64M16JT-125:G

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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MT41K64M16JT-125:G TR

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT41K64M16TW-107 AAT:J

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MT41K512M8RH-125 M:E TR

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MT41K512M8V80AWC1

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Fabricantes: Micron Technology
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MT41K512M8RH-125 XIT:E

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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MT41K512M8RH-125 M:E

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT41K64M16JT-15E:G TR

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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MT41K512M8THD-15E:D

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL

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MT41K512M8RH-125 V:E TR

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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