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MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.14 V ~ 1.3 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Otros nombres
    MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR-ND
    MT42L64M64D2LL-18IT:CTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (64M x 64)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (64M x 64) Parallel 533MHz
  • Frecuencia de reloj
    533MHz

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Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT42L64M64D2MP-25 IT:A

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 220FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

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