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MT44K64M18RB-107E IT:A TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT44K64M18RB-107E IT:A TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT44K64M18RB-107E IT:A TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.28 V ~ 1.42 V
  • Tecnología
    DRAM
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Otros nombres
    MT44K64M18RB-107E IT:A TR-ND
    MT44K64M18RB-107EIT:ATR
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    1.125Gb (64Mb x 18)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    DRAM Memory IC 1.125Gb (64Mb x 18) Parallel 933MHz 8ns
  • Frecuencia de reloj
    933MHz
  • Tiempo de acceso
    8ns

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Descripción: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

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Descripción: IC PSRAM 16M PARALLEL 54VFBGA

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Descripción: IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA

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Descripción: IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ

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Descripción: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

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Descripción: RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC PSRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

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Descripción: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

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Descripción: IC PSRAM 16M PARALLEL 54VFBGA

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Descripción: IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG

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