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420778Imagen MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TRMicron Technology

MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    14.4ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Paquete del dispositivo
    168-WFBGA (12x12)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    168-WFBGA
  • Otros nombres
    MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR-ND
    MT46H128M32L2KQ-48IT:CTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (128M x 32)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 208MHz 5.0ns 168-WFBGA (12x12)
  • Frecuencia de reloj
    208MHz
  • Número de pieza base
    MT46H128M32
  • Tiempo de acceso
    5.0ns
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR

MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46H128M16LFDD-48 IT:C

MT46H128M16LFDD-48 IT:C

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46H128M16LFCK-5 IT:A

MT46H128M16LFCK-5 IT:A

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B

MT46H128M32L2KQ-6 WT:B

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT46H128M16LFCK-6 IT:A

MT46H128M16LFCK-6 IT:A

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR

MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT46H128M16LFDD-48 WT:C

MT46H128M16LFDD-48 WT:C

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR

MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT46H128M32L2KQ-5 IT:B

MT46H128M32L2KQ-5 IT:B

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR

MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT46H128M16LFDD-48 AIT:C

MT46H128M16LFDD-48 AIT:C

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT46H128M32L2KQ-5 IT:A

MT46H128M32L2KQ-5 IT:A

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

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MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR

MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

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MT46H128M32L2KQ-6 IT:B

MT46H128M32L2KQ-6 IT:B

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

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MT46H128M32L2KQ-48 IT:C

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

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MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR

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MT46H128M32L2KQ-5 WT:B

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